Mikroelektronika, Elektronika

Rádiófrekvenciás integrált áramkörök alkatrészei

Rádiófrekvenciás integrált áramkörök alkatrészei

Aktív eszközök: MOS FET, bipoláris tranzisztor, heteroátmenetes tranzisztor. Különleges nagyfrekvenciás tranzisztorok: MESFET és HEMT. Működési alapelv, I-U karakterisztikák, nagyfrekvenciás viselkedés, határfrekvenciák. Eszközmodellek.

Passzív integrált áramköri elemek: integrált kapacitás, ellenállás, induktivitás, transzformátor. Felépítés, működése, karakterisztikák, nagyfrekvenciás modellek

Zajok

Zajok fizikai forrásai, ellenállászaj, sörétzaj, árameloszlási zaj, rekombinációs zaj, flicker (villódzási) zaj. Ekvivalens zajgenerátorok, zajforrások összegezése, zajkorrelációk

Áramköri technológiák

CMOS, BiCMOS, SiGe, III-V vegyületfélvezetős technológiák (GaAs, GaAlAs, InP, SiC, GaN)

Arányos méretcsökkentés, a méretcsökkentés határai

CMOS áramkörök speciális problémái

ESD védelem és RF problémái, latch-up

Alapáramkörök:

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->bandgap referencia,

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->ptat áram, áramtükör,

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->differenciálerősítő,

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->alapvető erősítő típusok és tulajdonságaik áttekintése (földelt emitteres, kollektoros, bázisos)

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->D/A(benne delta-sigma)

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->A/D

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Keverő áramkörök (Gilbert cella, passzív keverő)

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Kristályoszcillátorok

Nagyfrekvenciás méréstechnika:

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Spectrum analizis

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->S paraméter mérés

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Zajmérés

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Mérésautomatizálás

Eszközmodellek paramétereinek meghatározása DC, kis és nagyfrekvenciás mérésekből

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Bipoláris modellek (Gummel-Poon és VBIC részletesebben, Philips MEXTRAM és HICUM érintőlegesen)

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->MOS tranzisztormodellek közül a BSIM3 ismertetése, illetve a miniatürizálás miatt fellépő új hatások bemutatása a BSIM4-ben

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->A tárgyalt modellek helyettesítőképének elemzése, majd a működést leíró egyenletek áttekintése, modellparaméterek csoportosítása

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Módszerek ismertetése a paraméterek meghatározására (DC és RF mérések + optimalizáció)

Modern CAD rendszerek

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Tervezési módszerek (top-down, bottom-up)

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->RF tervezést segítő rendszerek a különböző absztrakciós szinteken

Nagyfrekvenciás működést befolyásoló hatások

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Layout okozta paraziták, csatolások

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Tokozásból adódó paraziták

<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->Nyomtatott áramkörök parazitái

ECL osztó tervezése

a. A szorgalmi időszakban: egy kis zh min. elégséges szintű megírása az aláírás feltétele

b. A vizsgaidőszakban: Írásbeli vizsga

c. Elővizsga: a tárgyból tartunk elővizsgát

A szorgalmi időszakban egy pótzh lehetőség. Vizsgaidőszakban a TVSz-nek megfelelően.

Az oktatókkal előzetes megbeszélés szerint biztosítunk konzultációs lehetőséget.

S.M. Sze:High-Speed Semiconductor Devices, Wiley-Interscience Publication, 1990, ISBN

0-471-62307-5

B. Razotti: RF Microelectronics, Prentice Hall, 1998, ISBN 0-13-887571-5

.Alan B. Grenebe: Bipolar and MOS Analog Integrated Circuit Design, John Wiley & Sons,

New York 1983, ISBN 0-471-08529-4

Zhong Yuan Chang, Willy M.C. Sansen: Low-Noise Wide-Band Amplifiers in Bipolar and CMOS Technologies Kluwer Academic Publishers, London 1991, ISBN 0-7923-9096-2

Ezen kívül aktuális cikkek, konferenciaanyagok és az internet-en elérhető anyagok